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晶圓缺陷檢測系統
采用顯微光學方案針對晶圓CP后的外觀檢測以及bump的3D量測
產品詳情
晶片上的圖案通過電子束或光沿著管芯陣列被捕獲，使用數字圖像處理技術將被檢芯片的圖像和模板圖像差值運算檢測缺陷，如果被檢測芯片沒有缺陷則計算結果將為零；如果被檢測晶片存在缺陷，則計算結果不為零，并將缺陷信息記錄在圖像中
設備參數：
項目 | 內容 |
Wafer Size | 8” &12 “ wafer |
Wafer Mapping | Sensor |
全檢查檢查時間 | 300 S |
檢查項目 | 異物，粒子，劃痕，裂縫，污染等缺陷 |
測量項目 | Bump,RDL,Pad,UBM,Via 的直徑寬度，長度和位移 |
Wafer Cassettes | Standar Cassettes |
Wafer Aligner | Notch |
Wafer Transfer | Two-arm Robot |
Wafer Max Warpage | Up to 500 microns for 12” wafer |
Stage | 高精密吸附平臺 |
Vision precision | 0.9μm/pixel |
潔凈度 | ISO Class 1 |
O/S | Window 7 or 10 |
Wafer可檢測缺陷類型介紹：
劃痕損傷 暗域 破損 異物
Bump檢測 Probe Mark檢測 表面缺陷檢測 PAD檢測
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